MGSF1N03LT1G MOSFET 30V 2.1A N-Kanal
♠ Məhsul təsviri
| Məhsul Atributu | Atribut Dəyəri |
| İstehsalçı: | onsemi |
| Məhsul Kateqoriyası: | MOSFET |
| Texnologiya: | Si |
| Montaj tərzi: | SMD/SMT |
| Paket / Çanta: | SOT-23-3 |
| Transistor polaritesi: | N-Kanal |
| Kanalların sayı: | 1 Kanal |
| Vds - Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi: | 30 V |
| İd - Davamlı Drenaj Cərəyanı: | 2.1 A |
| Rds On - Drenaj Mənbə Müqaviməti: | 100 mOhm |
| Vgs - Gate-Mənbə Gərginliyi: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Qapı-Mənbə Həddi Gərginliyi: | 1 V |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Minimum işləmə temperaturu: | - 55 C |
| Maksimum işləmə istiliyi: | + 150 C |
| Pd - Gücün Dağılması: | 690 mVt |
| Kanal rejimi: | Təkmilləşdirmə |
| Qablaşdırma: | çarx |
| Qablaşdırma: | Bant kəsin |
| Qablaşdırma: | MouseReel |
| Brend: | onsemi |
| Konfiqurasiya: | subay |
| Payız vaxtı: | 8 ns |
| Hündürlük: | 0,94 mm |
| Uzunluq: | 2.9 mm |
| Məhsul: | MOSFET Kiçik Siqnal |
| Məhsulun növü: | MOSFET |
| Yüksəlmə vaxtı: | 1 ns |
| Seriya: | MGSF1N03L |
| Zavod Paketi Miqdarı: | 3000 |
| Alt kateqoriya: | MOSFET-lər |
| Transistor növü: | 1 N-Kanal |
| Növ: | MOSFET |
| Tipik söndürmə gecikmə vaxtı: | 16 ns |
| Tipik işə salınma gecikməsi: | 2,5 ns |
| Eni: | 1,3 mm |
| Vahid Çəki: | 0,000282 unsiya |
♠ MOSFET – Tək, N-Kanal, SOT-23 30 V, 2,1 A
Bu miniatür səthə montajlı MOSFET-lər aşağı RDS(on) minimum enerji itkisini təmin edir və enerjiyə qənaət edir, bu cihazları kosmosa həssas enerji idarəetmə sxemlərində istifadə üçün ideal edir.Tipik tətbiqlər kompüterlər, printerlər, PCMCIA kartları, mobil və simsiz telefonlar kimi portativ və akkumulyatorla işləyən məhsullarda DC-dc çeviriciləri və enerjinin idarə edilməsidir.
• Aşağı RDS(on) Yüksək Səmərəlilik Təmin edir və Batareyanın Ömrünü Uzadır
• Miniatür SOT−23 Səthə Montaj Paketi Lövhənin Yerinə qənaət edir
• Unikal Sayt və Nəzarət Dəyişikliyi Tələbləri Tələb Edən Avtomobil və Digər Proqramlar üçün MV Prefiksi;AEC−Q101 Qualified və PPAP qabiliyyəti
• Bu Cihazlar Pb-Sərbəstdir və RoHS Uyğundur
