IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Qısa Təsvir:

İstehsalçılar: Infineon
Məhsul kateqoriyası: MOSFET
Məlumat vərəqi:IPD50N04S4-08
Təsvir: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
RoHS statusu: RoHS Uyğundur


Məhsul təfərrüatı

Xüsusiyyətləri

Məhsul Teqləri

♠ Məhsul təsviri

Məhsul Atributu Atribut Dəyəri
İstehsalçı: İnfineon
Məhsul Kateqoriyası: MOSFET
Texnologiya: Si
Montaj tərzi: SMD/SMT
Paket / Çanta: TO-252-3
Transistor polaritesi: N-Kanal
Kanalların sayı: 1 Kanal
Vds - Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi: 40 V
İd - Davamlı Drenaj Cərəyanı: 50 A
Rds On - Drenaj Mənbə Müqaviməti: 7,2 mOhm
Vgs - Gate-Mənbə Gərginliyi: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Qapı-Mənbə Həddi Gərginliyi: 2 V
Qg - Gate Charge: 22.4 nC
Minimum işləmə temperaturu: - 55 C
Maksimum işləmə istiliyi: + 175 C
Pd - Gücün Dağılması: 46 Vt
Kanal rejimi: Təkmilləşdirmə
İxtisas: AEC-Q101
Ticarət adı: OptiMOS
Qablaşdırma: çarx
Qablaşdırma: Bant kəsin
Qablaşdırma: MouseReel
Brend: Infineon Technologies
Konfiqurasiya: subay
Payız vaxtı: 6 ns
Hündürlük: 2.3 mm
Uzunluq: 6,5 mm
Məhsulun növü: MOSFET
Yüksəlmə vaxtı: 7 ns
Seriya: OptiMOS-T2
Zavod Paketi Miqdarı: 2500
Alt kateqoriya: MOSFET-lər
Transistor növü: 1 N-Kanal
Tipik söndürmə gecikmə vaxtı: 5 ns
Tipik işə salınma gecikməsi: 5 ns
Eni: 6.22 mm
Hissə # Təxəllüs: IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
Vahid Çəki: 0,011640 unsiya

  • Əvvəlki:
  • Sonrakı:

  • • N-kanal – Təkmilləşdirmə rejimi
    • AEC kvalifikasiyasına malikdir
    • MSL1 260°C-ə qədər pik reflow
    • 175°C iş temperaturu
    • Yaşıl Məhsul (RoHS uyğun)
    • 100% Avalanche test edilmişdir

    Əlaqədar məhsullar