Məhsul təfərrüatı
Məhsul Teqləri
| Məhsul Atributu | Atribut Dəyəri |
| İstehsalçı: | onsemi |
| Məhsul Kateqoriyası: | MOSFET |
| RoHS: | Təfərrüatlar |
| Texnologiya: | Si |
| Montaj tərzi: | SMD/SMT |
| Paket / Çanta: | DPAK-3 |
| Transistor polaritesi: | N-Kanal |
| Kanalların sayı: | 1 Kanal |
| Vds - Drenaj Mənbəsinin Dağılma Gərginliyi: | 600 V |
| İd - Davamlı Drenaj Cərəyanı: | 1.7 A |
| Rds On - Drenaj Mənbə Müqaviməti: | 1.9 Ohm |
| Vgs - Gate-Mənbə Gərginliyi: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Qapı-Mənbə Həddi Gərginliyi: | 5 V |
| Qg - Gate Charge: | 8.3 nC |
| Minimum işləmə temperaturu: | - 55 C |
| Maksimum işləmə istiliyi: | + 150 C |
| Pd - Gücün Dağılması: | 114 Vt |
| Kanal rejimi: | Təkmilləşdirmə |
| Ticarət adı: | UniFET |
| Qablaşdırma: | çarx |
| Qablaşdırma: | Bant kəsin |
| Qablaşdırma: | MouseReel |
| Brend: | onsemi / Fairchild |
| Konfiqurasiya: | subay |
| Payız vaxtı: | 12,8 ns |
| İrəli keçiricilik - Min: | 3.4 S |
| Hündürlük: | 2.39 mm |
| Uzunluq: | 6.73 mm |
| Məhsul: | MOSFET |
| Məhsulun növü: | MOSFET |
| Yüksəlmə vaxtı: | 15.1 ns |
| Seriya: | FDD4N60NZ |
| Zavod Paketi Miqdarı: | 2500 |
| Alt kateqoriya: | MOSFET-lər |
| Transistor növü: | 1 N-Kanal |
| Tipik söndürmə gecikmə vaxtı: | 30,2 ns |
| Tipik işə salınma gecikməsi: | 12,7 ns |
| Eni: | 6.22 mm |
| Vahid Çəki: | 0,011640 unsiya |
Əvvəlki: NCP431BVSNT1G Gərginlik Referansları ANA 2.5V PROG SHUNT REF Sonrakı: NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2.0A
